전체보기314 빠른포맷 VS 일반포맷 무엇이 다를까? 빠른포맷 VS 일반포맷 무엇이 다를까? 저장매체를 포맷하는 것은 새로운 파일시스템을 구축하는 작업이다. 빠른포맷과 일반포맷 어떤 차이가 있을까? 파일시스템은 파일이나 폴더를 쉽게 찾고 접근할 수 있도록 만들어진 보관 체계이다. 파일시스템은 데이터에 관한 모든 정보와 데이터가 기록된 위치등이 기록되어 있기 때문에 파일시스템의 정보와 데이터는 긴밀하게 서로 연결되어 있다고 볼 수 있다. 파일시스템의 정보가 없이는 데이터를 찾을수도 없고 접근이 불가능한 상태가 된다. 포맷을 하게 되면 파일시스템을 지우고 새로운 파일시스템이 재구축된다. 윈도우 체계에서 빠른 포맷은 기존파일시스템을 지우고 새로운 파일시스템으로 재구축하는 것을 말한다. 새로운 파일시스템으로 재구축되면 이전 파일시스템은 지워진다. 하지만, 기존 데.. 2016. 5. 30. 배드섹터(bad sector)란? 배드섹터(bad sector)란? 배드섹터(불량섹터)란 하드디스크의 데이터기록 공간인 미디어에 물리적 또는 자기결함에 의해 데이터를 기록할수 없는 상태가 된 디스크상의 섹터를 말한다. 하드웨어의 오류가 경미한 경우 불량섹터(bad sector) 가 나타나며, 구조적인 부분이 위치하게 되는 0 실린더 부분이 손상을 입게 될 경우 악성코드에 의해 손상된 증상과 비슷한 증상이 나타나며, 파일이 위치한 부분에 불량섹터가 있다면 파일이나 폴더가 열리지 않거나 복사되지 않는다. 드라이브나 디렉터리에 접근할수 없는 상태가 되기도 한다. 상세증상 - 디스크의 데이터 기록, 판독 속도가 느려진다. - PC의 다운 또는 마비증상이 나타나기도 한다. - 디스크 포맷메세지, 액세스 불가메세지, I/O장치 오류메세지, CRC .. 2016. 5. 30. 하드디스크 성능 및 고장율 비교 하드디스크 성능 비교 2016. 5. 30. RAID 레이드 구성 및 이해 레이드(RAID) 구성 및 이해 여러개의 하드디스크에 데이터를 나눠서 분산, 중복 저장하는 기술을 말한다. 레이드(RAID)란 Redundant Array Inexpensive Disks의 약어이며, 의미는 값싼 디스크를 여분으로 배치한다 는 뜻이다. 1988년 버클리의 David Patterson, Garth Gibson, Randy Katz가 SIGMOD에 'A Case for Redundant Arrays of Inexpensive Disks(RAID)라는 논문을 발표하면서 시작되었다. 이 논문은 CPU나 메모리의 향상된 성능에 비해 하드디스크의 성능이 따라가지 못해 성능이 저하되는 것이며 하드디스크르르 여러개 중복 배열하여 성능과 신뢰성을 높일수 있다는 내용을 말하고 있다. 쉽게 이야기 하면 파티.. 2016. 5. 30. 하드디스크의 역사 하드디스크의 역사 하드디스크의 발전에 있어서 빅블루(Big Blue)라는 별명이 왜? 나왔는지 아래 하드디스크의 역사를 보면 알수 있다. 빅블루란 업계에서 미국의 IBM사를 부르는 별칭이다. 1956 세계 최초의 하드디스크 탄생 (IBM 305 RAMAC) 미국의 IBM사에서 세계 최초의 하드디스크 'IBM 305 RAMAC'을 출시하였다. 디스크의 표면과 접촉하는 헤드를 가지고 있는 모델로 랜덤 액세스 방식이 가능하며, 저장용량은 약 5MB 였다. 글자로 따지면 약500만 글자정도가 저장된다. 크기는 냉장고 2개의 크기. 분당 12,00RPM으로 초당 전송속도는 8,800byte 무게는 1톤정도이며, 가격은 3만6천달러~ 5만달러 정도로 매우 비싼 장치였다. 1961 최초의 구역기록 방식사용 (Brua.. 2016. 5. 30. 플래시 메모리(Flash Memory)의 구조와 원리 플래시 메모리(Flash Memory)의 구조와 원리 플래시 메모리는 어떻게 데이터가 기록되는 걸까? 플래시 메모리의 구조와 원리에 대해 알아보자! 플래시 메모리는 플로팅 게이트 트랜지스터로 구성된 각 셀에 데이터를 저장하는 방식으로 플로팅 게이트에 전자를 채우거나 비우는 방식으로 데이터를 기록하거나 지우게 된다. 플로팅게이트는 산화막으로 둘러 쌓여 있으며 전압에 의해 전기장의 영향으로 일부의 전자가 산화막을 통과하여 플로팅게이트로 진입하게 되는데 이를 터널효과라 한다. 콘트롤게이트에 충분한 전압이 가해지면 터널효과로 산화막에 플로팅 게이트에 갖힌 전자는 셀의 쓰기에 해당한다. 반대로 콘트롤게이트 반대 방향에 충분한 전압이 가해지면 전기장에 의해 플로팅 게이트에 갖힌 전자들이 산화막을 통과하여 빠져 나오.. 2016. 5. 30. 이전 1 ··· 49 50 51 52 53 다음
