Flash memory1 플래시 메모리(Flash Memory)의 구조와 원리 플래시 메모리(Flash Memory)의 구조와 원리 플래시 메모리는 어떻게 데이터가 기록되는 걸까? 플래시 메모리의 구조와 원리에 대해 알아보자! 플래시 메모리는 플로팅 게이트 트랜지스터로 구성된 각 셀에 데이터를 저장하는 방식으로 플로팅 게이트에 전자를 채우거나 비우는 방식으로 데이터를 기록하거나 지우게 된다. 플로팅게이트는 산화막으로 둘러 쌓여 있으며 전압에 의해 전기장의 영향으로 일부의 전자가 산화막을 통과하여 플로팅게이트로 진입하게 되는데 이를 터널효과라 한다. 콘트롤게이트에 충분한 전압이 가해지면 터널효과로 산화막에 플로팅 게이트에 갖힌 전자는 셀의 쓰기에 해당한다. 반대로 콘트롤게이트 반대 방향에 충분한 전압이 가해지면 전기장에 의해 플로팅 게이트에 갖힌 전자들이 산화막을 통과하여 빠져 나오.. 2016. 5. 30. 이전 1 다음